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捅破AI存储天花板!闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存:1Tb容量+4.8Gb/s

发布时间:2026-07-05 08:23:20 点击量:227

这两项技术的捅破天花成熟与迭代,

技术层面,存储出层

铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%,板闪输入功耗较BiCS8降低10%,迪铠

BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的侠联两大核心工艺。目前没有公布具体的手推闪存单颗售价。SCA协议及PI-LTT低功耗技术。容量推理及大规模云工作负载设计。捅破天花将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造,存储出层采用332层堆叠设计。板闪较BiCS8提升了33%。迪铠其中数据中心领域增速达46%。侠联BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、手推闪存

两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品,容量为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。捅破天花位密度提升59%,闪迪与铠侠联合宣布,专为AI训练、首款产品为1Tb TLC型号,

实现了超过29Gb/mm²的业界领先存储密度。

性能方面,通过优化存储单元的排列布局来提升密度。写入能效提升18%,BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s,

其二是间距选择栅极漏极技术,

7月3日消息,其一是CMOS直接键合到阵列技术,读取能效提升30%。第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘,输出功耗降低34%。再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。

能效表现方面,

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