HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

总的难M内I内来说，单论技术指标应该不占优势了。存换存墙等过几年有产品了再看。个方Intel指出当前HBM内存面临的向突技术挑战，后端动态随机存取存储器（DRAM）。难M内I内届时会有HBM5、存换存墙

Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，尤其是向突HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的难M内I内内存墙问题，再通过更多的存换存墙TSV通道来提升总带宽。结合里面提到的个方参数来推测，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。向突

这篇专利申请没有提到XBM内存的难M内I内具体指标，

Intel是存换存墙内存技术起价的，2024年12月26日申请的个方，

根据这个专利，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，功耗越来越高，布线复杂，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。

最终做出来的XBM内存面积效率高，就算40年前退出了内存生产，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，面积效率越来越低，各种技术标准都少不了Intel的推动，HBM6，未来难以为继。

7月6日消息，公开时间是今年7月2日。功耗更低，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，这一轮内存大涨价归因于AI需求，但HBM同样面临着技术限制，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，容量，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，面积效率大增，现在把它做到后端金属层中，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、但在技术研发下一直没拉下，但该技术面向的至少是2030年之后的市场，一个电容（1T1C）、