若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，力士据报道，急刹有助于减小HBM厚度并改善散热。用不也悬当前HBM4的混合键合凉K海I/O数量已翻倍至2048个。但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是力士发展方向。将电绝缘、急刹厚度标准松动后，用不也悬混合键合的混合键合凉K海无凸点减薄优势不再紧迫。短期内混合键合不会大规模部署，力士行业分析师指出，急刹三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，用不也悬12层产品仍极有可能被用作主流产品。混合键合凉K海HBM4已放宽至775微米。力士

SK海力士则推出iHBM技术，在封装内部加入独立热柱，即使到HBM4E阶段，

混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，

7月6日消息，

16层以上高堆叠产品的需求并不紧迫，JEDEC正在讨论将HBM5的厚度标准从当前的775微米放宽至最高约1000微米。

目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。

业内判断，可从堆叠内部带走热量。届时必须采用混合键合以实现更高密度连接。以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。三星开发了HPB热通道模块，

而HBM3E标准厚度为720微米，

混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。然而，这进一步延缓了混合键合的规模化部署。不过混合键合的研发并未停滞。两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。即使到HBM5也可能暂不采用。现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，称可较现有产品降低超过30%热阻。

散热问题也有了更简单的替代方案。