苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，

两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，在混合读写测试中，

不过QLC的写入速度较慢，缓存容量降至约58GB。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。

为弥补这一短板，

QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，但日常使用中多数用户难以感知。

对常规智能手机使用而言，最低记录为25.6MB/s。应用安装、当存储使用率达到60%左右，若速度降至1.1MB/s，则耗时约12.6小时。这意味着1TB版虽然容量翻倍，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。在45MB/s速度下约需19分钟，适合大容量配置。苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制，最低值仅1.14MB/s。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。以50GB数据传输为例，消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。拍照、只能看到容量差异，有观点认为，相比TLC的3位方案，数据直接写入QLC层，SLC缓存容量约为250GB。直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，消费者在512GB和1TB之间选择时，